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Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The .: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Eaton Bussman Feinsicherung / 16A 10 x 38mm 500V ac Keramik gG - gL, Betriebsspannung: 500V ac, Serie: Bussmann, MPN: C10G16.

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    Transcend SSD422K, 2,5 Zoll Intern SSD-Laufwerk SATA III Industrieausführung, MLC, 128 GB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS128GSSD422K.

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    • TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    8mm², Maximale Drahtgröße (AWG): 14AWG, Minimale Drahtgröße (AWG): 18AWG, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Gesamtlänge: 16. 2mm², M4.2mm², M4, Minimale Drahtgröße (mm2): 0.25mm, MPN: 41332 TE Connectivity Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

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    Transcend HSD372I, Half-Slim Intern SSD-Laufwerk SATA III Industrieausführung, MLC, 128 GB, SSD

    Transcend HSD372I, Half-Slim Intern SSD-Laufwerk SATA III Industrieausführung, MLC, 128 GB, SSD, Industrieausführung: Ja, MPN: TS128GHSD372I.

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    Bourns Dickschicht Widerstand 1% / 1W, 2512 (6432M) Gehäuse, MPN: CHV2512-FX-1003ELF.

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    Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

    : 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    : +175 °C.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRLU024NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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