ROHM R6530KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-220FM
About The 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
ROHM R6530KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM R6530KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-220FM
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Specifications of ROHM R6530KNX N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 86 W, 3-Pin TO-220FM | |
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