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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Speicherbausteine
EEPROMs
ROHM

ROHM 32kbit EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, TSSOP, 900ns SMD 4 K X 8 Bit, 4k X 8-Pin 8bit

About The 5V, Abmessungen: 4.35 x 1mm, Datenerhalt: 40Jahr, Betriebstemperatur max

ROHM 32kbit EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, TSSOP, 900ns SMD 4 K x 8 bit, 4k x 8-Pin 8bit, Arbeitsspannnung min.: 1,7 V, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Programmierspannung: 1.7 → 5.5V, Abmessungen: 4.4 x 3.35 x 1mm, Datenerhalt: 40Jahr, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: BR24L32FVT-WE2

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Specifications of ROHM 32kbit EEPROM-Speicher, Seriell-I2C Interface, TSSOP, 900ns SMD 4 K X 8 Bit, 4k X 8-Pin 8bit

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Rating :- 9.24 /10
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Broadcom LWL-Transceiver, 125 MBd, 155.52 MBd 1380nm Wellenlänge max.
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
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  • Faseroptik Transceiver
  • Broadcom
    • Samtec Rechtwinklig Gold Koaxial Berylliumkupfer Gold Female 75Ω MMCX7-J-P-GF-RA-TH1 +125°C -65°C Leiterplattenmontage

    Samtec Rechtwinklig Gold Koaxial Berylliumkupfer Gold Female 75Ω MMCX7-J-P-GF-RA-TH1 +125°C -65°C Leiterplattenmontage

    Samtec Rechtwinklig Gold Koaxial Berylliumkupfer Gold Female 75Ω MMCX7-J-P-GF-RA-TH1 +125°C -65°C Leiterplattenmontage, Koaxialanschlusstyp: MCX-Steckverbinder, Gender: Buchse, Montagetyp: PCB, Anschlussart: Durchsteckmontage, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Größe: Micro Miniature, Betriebsfrequenz: 0 to 6GHz.

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    • TRACOPOWER TES 2H DC/DC-Wandler 2W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 400mA 1.5kV dc isoliert

    TRACOPOWER TES 2H DC/DC-Wandler 2W 24 V dc IN, 5V dc OUT / 400mA 1.5kV dc isoliert

    3mm, Lastausregelung: ±10%, MPN: TES 2-2411H.5kV dc, Tiefe: 8.6mm, Länge: 13.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 21,6 → 26,4 V dc, Montagetyp: Oberflächenmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SMD, Isolationsspannung: 1.

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    • Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: +175 °C.2mm, Betriebstemperatur max.: 1.

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    • Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQA405EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

    : +175 °C.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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