Vishay TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 51 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay TrenchFET SI3493DDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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