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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP

About The Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon CoolMOS CE IPA80R1K4CEXKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3,9 A, 3-Pin TO-220 FP
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GEORGIN Temperatur-Messumformer 8 → 28 V, -220°C → 850°C für PT100 Ausgang 4-20 mA

GEORGIN Temperatur-Messumformer 8 → 28 V, -220°C → 850°C für PT100 Ausgang 4-20 mA

GEORGIN Temperatur-Messumformer 8 → 28 V, -220°C → 850°C für PT100 Ausgang 4-20 mA, Serie: TIXO, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, MPN: TIXO1B0-00.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Prozessautomation
  • Messumformer Temperatur
  • GEORGIN
    • Wurth Elektronik WE-MAPI Drosselspule, 0,56 μH 1.65A mit Magnetische Eisenlegierung-Kern, 1610 Gehäuse 1.6mm / ±30%,

    Wurth Elektronik WE-MAPI Drosselspule, 0,56 μH 1.65A mit Magnetische Eisenlegierung-Kern, 1610 Gehäuse 1.6mm / ±30%,

    6mm / ±30%,, Höhe: 1mm, Abmessungen: 1.65A mit Magnetische Eisenlegierung-Kern, 1610 Gehäuse 1.6 x 1.: 150MHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.

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  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Wurth Elektronik
    • Microchip Mikrocontroller PIC12F PIC 8bit THT 3.5 kBit PDIP 8-Pin 20MHz 128 B RAM

    Microchip Mikrocontroller PIC12F PIC 8bit THT 3.5 kBit PDIP 8-Pin 20MHz 128 B RAM

    5 kBit PDIP 8-Pin 20MHz 128 B RAM, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 10 bit, MPN: PIC12F617-I/P.Microchip Mikrocontroller PIC12F PIC 8bit THT 3.

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  • Prozessoren und Mikrocontroller
  • Mikrocontroller
  • Microchip
    • Schurter C14 IEC-Steckerfilter Stecker 5 x 20mm Sicherung, 250 V ac / 10A, Tafelmontage / Flachsteck-Anschluss
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  • Steckverbinder
  • AC,DC Leistungs Steckverbinder
  • IEC Filter
  • Schurter
    • onsemi NTF3055-100G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    onsemi NTF3055-100G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    7mm, MPN: NTF3055-100T1G.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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  • MOSFET
  • onsemi
    • Infineon 700V CoolMOS P7 IPAN70R450P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 700V CoolMOS P7 IPAN70R450P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon 700V CoolMOS P7 IPAN70R450P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10 A, 3-Pin TO-220 FP.

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    • Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC

    Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC

    Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC, MPN: RS01A1R000FE12.

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    • Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC

    Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC

    Vishay Resistor, Wirewound; 1 Ohms; 1 W; 1 %; Axial Leaded; 50 ppm/ degC; 500 VAC, MPN: RS01A1R000FE12.

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