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Onsemi NVMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The : 2.: 8,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi NVMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 8,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Onsemi NVMYS8D0N04CTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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