Infineon OptiMOS T2 IPB120N08S403ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0025 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Infineon OptiMOS T2 IPB120N08S403ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS T2 IPB120N08S403ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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