onsemi PowerTrench FDS8958B N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A; 6,4 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 39 mΩ, 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -25 V, -20 V, +20 V, +25 V, Länge: 4.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi PowerTrench FDS8958B N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A; 6,4 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Onsemi PowerTrench FDS8958B N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A; 6,4 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC | |
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