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STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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ABB 1SDA07 Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Elektronische Überlastschalter
  • ABB
    • Siemens Überwachungsrelais DIN-Schienen

    Siemens Überwachungsrelais DIN-Schienen

    Siemens Überwachungsrelais DIN-Schienen, Überwachungsanwendungen: Stromstärke, MPN: 7SR10045JB202CB0.

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    • FIBET Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Innengewinde Puffer M6, Ø 20mm x 43mm

    FIBET Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Innengewinde Puffer M6, Ø 20mm x 43mm

    FIBET Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Innengewinde Puffer M6, Ø 20mm x 43mm, Material: Naturkautschuk, Stauchlast: 28kg, Metallteil: Stahl zinkplattiert, Stauchhärte: 5mm, Typ: Stecker auf Buchse, MPN: 2025VD18-60.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
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  • Schwingungsdämpfer
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    • Lovato ADXN Motorstarter 3-phasig 11 kW, 24 V AC/DC / 18 A

    Lovato ADXN Motorstarter 3-phasig 11 kW, 24 V AC/DC / 18 A

    Lovato ADXN Motorstarter 3-phasig 11 kW, 24 V AC/DC / 18 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP20, MPN: ADXNB01824.

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    • ABB 1SDA07 Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.25kA

    ABB 1SDA07 Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.25kA

    ABB 1SDA07 Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.25kA, MPN: ABB1SDA071595R1.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
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    • STMicroelectronics STGP8NC60KD, THT MOSFET 65 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 4.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 2.1V, Höhe: 15.75mm, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Gate-Ladung typ.
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    • STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : ±25 V, Länge: 6.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • STMicroelectronics STGP8NC60KD, THT MOSFET 65 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 4.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 2.1V, Höhe: 15.75mm, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Gate-Ladung typ.
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    : 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.STMicroelectronics STD8N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: ±25 V, Länge: 6.

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