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Elektromechanik & Automation und Kabel

Prozessautomation

Erweitertes Sortiment

OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953

About The 512x2.953", MPN: B3020127-AL

OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953", MPN: B3020127-AL

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OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953

Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

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Specifications of OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953
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Last Updated November 22nd, 2023 03:04 am

OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953

Elektromechanik & Automation und Kabel

Prozessautomation

Rating :- 9.82 /10

Votes :- 6

TDK-Lambda Schaltnetzteil, AUS 24V dc / 1.3A 30W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 265 V ac Geschlossen,

5mm, Tiefe: 95mm, Wirkungsgrad: 88%, Temperatur max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Stromversorgungen & Transformatoren

Schaltnetzteile

Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 2.2A, 30V 6.6s 1.1A 40 A max.

1Ω, Maximaler Widerstand: 270mΩ, Leistungsverlust: 0.

Elektromechanik & Automation und Kabel

Sicherungen und Leitungsschutzschalter

Rückstellende Sicherungen

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 16.5kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW060316K5FKEA.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Passive Bauelemente

Festwiderstände

SMD-Widerstände

TDK-Lambda Schaltnetzteil, AUS 5V dc / 20A 100W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 265 V ac Offene Bauform,

TDK-Lambda Schaltnetzteil, AUS 5V dc / 20A 100W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 265 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 5V dc, Montagetyp: Geschlossen, Länge: 82mm, Breite: 28mm, Tiefe: 160mm, Wirkungsgrad: 89%, Temperatur max.: -10°C, Gewicht: 450g, MPN: HWS100A-5.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Stromversorgungen & Transformatoren

Schaltnetzteile

Nexperia PDTA144EQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3

Nexperia PDTA144EQB-QZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Diskrete Halbleiter

Bipolare Transistoren

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Passive Bauelemente

Festwiderstände

SMD-Widerstände

OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953

953", MPN: B3020127-AL.512x2.

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Erweitertes Sortiment

Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3

Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3.

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Diskrete Halbleiter

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OKW Gehäuse,Typ M,8.071x5.512x2.953

953", MPN: B3020127-AL.OKW Gehäuse,Typ M,8.512x2.

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Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3

Nexperia PDTC114EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3.

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