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Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 21.1mm

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Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247

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