Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The : +155 °C.: 2
Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.32V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.39V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +155 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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