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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The .: 21,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 21,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 680μF ±20% / 25V dc, Ø 10mm x 17mm x 17mm, bis 105°C

RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 680μF ±20% / 25V dc, Ø 10mm x 17mm x 17mm, bis 105°C

: +105°C, Anschlussraster: 5mm, Lebensdauer: 2000h, Verlustleistungsfaktor: 14%, Leckstrom: .

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    • TE Connectivity 3521 Dickschicht SMD-Widerstand 22Ω ±1% / 2W ±100ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse
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    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11mm x 11mm, bis 105°C
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    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11mm x 11mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11mm x 11mm, bis 105°C

    RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 330μF ±20% / 25V dc, Ø 8mm x 11mm x 11mm, bis 105°C, Kapazität: 330µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 8 (Dia.

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    • NSK PU Linearführung Schlitten für 9mm-Schienen, 30mm x 20mm, Traglast 1490N, 2150N

    NSK PU Linearführung Schlitten für 9mm-Schienen, 30mm x 20mm, Traglast 1490N, 2150N

    NSK PU Linearführung Schlitten für 9mm-Schienen, 30mm x 20mm, Traglast 1490N, 2150N, MPN: PAU09TRS.

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    Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    : +155 °C.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.

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    Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

    : 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.35V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.

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    Infineon HEXFET IRF9310TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

    35V, Gate-Schwellenspannung min.Infineon HEXFET IRF8313TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,7 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon HEXFET IRF9310TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.4V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C.

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