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Infineon OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.4mm

Infineon OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.4mm

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Infineon OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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