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Altech Lock Nut; Brass; 70 Mm; M 63 X 1.5; 6 Mm; Nickel-Plated; -40 To ? DegC

About The 5; 6 mm; Nickel-Plated; -40 to ? degC, MPN: 6004636.Altech Lock Nut; Brass; 70 mm; M 63 x 1

degC, MPN: 6004636 Altech Lock Nut; Brass; 70 mm; M 63 x 1.5; 6 mm; Nickel-Plated; -40 to ?

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Altech Lock Nut; Brass; 70 Mm; M 63 X 1.5; 6 Mm; Nickel-Plated; -40 To ? DegC

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Specifications of Altech Lock Nut; Brass; 70 Mm; M 63 X 1.5; 6 Mm; Nickel-Plated; -40 To ? DegC

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5mm, Zur Verwendung mit: Gehäuse in robuster Ausführung 486-121208, Gehäuse in robuster Ausführung 486-121209, Gewindegröße: M4 x 8, MPN: 4MP1212.

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    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±1% / 1W ±100ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW251210R0FKEG.

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    • Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 82Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 82Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    : +155°C, MPN: CRCW120682R0FKEA.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 82Ω ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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    4/5GHz IEEE 802.11 a/b/g/n, Wireless-Technik: IWLAN, MPN: 6GK5774-1FX00-0AC0.Siemens SCALANCE W774-1 Wireless Access Point, 300Mbit/s 10/100Mbit/s 2.

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    Murata Power Solutions Murata NMH DC/DC-Wandler 2W 5 V dc IN, ±9V dc OUT / ±111mA 1kV dc isoliert

    : -40°C, MPN: NMH0509SC.5mm, Temperatur max.: +85°C, Temperatur min.Murata Power Solutions Murata NMH DC/DC-Wandler 2W 5 V dc IN, ±9V dc OUT / ±111mA 1kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±9V dc, Eingangsspannung: 4,5 → 5,5 V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Isolationsspannung: 1kV dc, Tiefe: 10mm, Länge: 19.

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    25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: +155°C, MPN: CRCW1206750KFKEA.Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 750kΩ ±1% / 0.

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    Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 750kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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