onsemi PowerTrench FDB024N08BL7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.2mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi PowerTrench FDB024N08BL7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Onsemi PowerTrench FDB024N08BL7 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin D2PAK (TO-263) | |
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