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Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil Für Serie FX2N

About The Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil für Serie FX2N

Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil für Serie FX2N

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Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil Für Serie FX2N

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Specifications of Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil Für Serie FX2N

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Mitsubishi F2-40BL SPS-Netzteil Für Serie FX2N
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Preci-Dip SMD SIL-Sockel Rechtwinklig, 10-Pin Gold, Zinn, Raster 2.54mm
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • IC Sockel,Adapter
  • SIL Sockel
  • Preci-Dip
    • Preci-Dip 803 Leiterplattenbuchse gewinkelt 6-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

    Preci-Dip 803 Leiterplattenbuchse gewinkelt 6-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm

    Preci-Dip 803 Leiterplattenbuchse gewinkelt 6-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: Oberflächenmontage, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 3A, Betriebsspannung: 100 V ac, 150 V dc, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, MPN: 803-87-006-30-002101.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Leiterplattenbuchsen
  • Preci-Dip
    • onsemi PowerTrench FDS6975 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC

    onsemi PowerTrench FDS6975 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC

    : 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: +150 °C.onsemi PowerTrench FDS6975 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon
    • Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +175 °C.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Infineon