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Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: +175 °C

Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS T2 IPB120N06S402ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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