Infineon HEXFET IRFP2907ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFP2907ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Infineon HEXFET IRFP2907ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247AC | |
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