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Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Nexperia PH8230E,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67 A 62,5 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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