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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
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EPCOS

EPCOS EHV Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 10kA, 540 → 720V, Impuls 1000V, +90°C, Durchsteckmontage

About The : 720 V dc, Länge: 6.: -40°C, MPN: B88069X0780S102

EPCOS EHV Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 10kA, 540 → 720V, Impuls 1000V, +90°C, Durchsteckmontage, Impuls-Durchschlagspannung:

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Specifications of EPCOS EHV Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 10kA, 540 → 720V, Impuls 1000V, +90°C, Durchsteckmontage

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onsemi PowerTrench FDD390N15A N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

onsemi PowerTrench FDD390N15A N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Rockwell Automation Kabel für Bulletin 1492 1492-CAB

    Rockwell Automation Kabel für Bulletin 1492 1492-CAB

    Rockwell Automation Kabel für Bulletin 1492 1492-CAB, MPN: PN-38940.

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    onsemi THT Optokoppler DC-In / Logikgatter-Out, 8-Pin MDIP, Isolation 5 kV eff

    : 1.8V, Regelanstiegszeit: 30ns, Eingangsstrom max.

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    Rockwell Automation Kabel für Bulletin 1492 1492-CAB, MPN: PN-199599.

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    • Dormer A170 HSS Spiralbohrer 21mm x 158 mm

    Dormer A170 HSS Spiralbohrer 21mm x 158 mm

    Dormer A170 HSS Spiralbohrer 21mm x 158 mm, Bohranwendung: Edelstahl, MPN: 0030363.

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    EPCOS EHV Gasentladungsableiter, 2-Elektroden Ableiter, 10kA, 540 → 720V, Impuls 1000V, +90°C, Durchsteckmontage

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    onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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    onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : +150 °C.: -30 V, +30 V, Betriebstemperatur max.onsemi SuperFET FCB20N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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