IXYS X2-Class IXTP4N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin TO-220
About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10
IXYS X2-Class IXTP4N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 850 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS X2-Class IXTP4N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of IXYS X2-Class IXTP4N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin TO-220 | |
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