Nexperia PEMH10,115 SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin
: 2,2 kΩ, Basis-Emitter-Widerstand: 47kΩ, Verlustleistung max.: 200 mW (je Transistor), 300 mW (je Bauelement), Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.Nexperia PEMH10,115 SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Eingangswiderstand typ.: 0,1 V, Widerstandsverhältnis: 21, Automobilstandard: AEC-Q101.