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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.2V

Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : ±30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    Microchip 4kbit Serieller EEPROM-Speicher, Serial-Microwire Interface, SOT-23, 250ns SMD 256 x 16 Bit, 256 x 6-Pin 16bit

    Microchip 4kbit Serieller EEPROM-Speicher, Serial-Microwire Interface, SOT-23, 250ns SMD 256 x 16 Bit, 256 x 6-Pin 16bit, Arbeitsspannnung min.

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