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Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220

About The .: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220

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Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220
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