Infineon OptiMOS P IPP80P03P4L04AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 137 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +5 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPP80P03P4L-04
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Infineon OptiMOS P IPP80P03P4L04AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 137 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS P IPP80P03P4L04AKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 137 W, 3-Pin TO-220 | |
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