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Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G3/4

About The Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G3/4, Gewindegröße: 3/4Zoll, MPN: VABM-B10-30-G34-4-P53

Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G3/4, Gewindegröße: 3/4Zoll, MPN: VABM-B10-30-G34-4-P53

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Specifications of Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G3/4

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Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G1/8, G3/8

Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G1/8, G3/8

Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G1/8, G3/8, Gewindegröße: 1/8 in, 3/8Zoll, MPN: VABM-B10-20E-G38-9.

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    Festo Serie VABF, Aluminium Ventilverteiler

    Festo Serie VABF, Aluminium Ventilverteiler, MPN: VABF-S2-1-R4C2-C-10.

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    • Texas Instruments Dual Bustransceiver Bus Transceiver AVC 4-Bit Non-Inverting, SMD 16-Pin UQFN, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Eingangspegel: CMOS, Ausgangspegel: Tri-State, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -12mA, Signalverzögerungszeit @ max.
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    Infineon Mikrocontroller XE166 C166 16bit SMD 1,6 MB LQFP 176-Pin 100MHz 112 KB RAM

    Infineon Mikrocontroller XE166 C166 16bit SMD 1,6 MB LQFP 176-Pin 100MHz 112 KB RAM, Versorgungsspannnung typ.4mm, MPN: XE169FH200F100LABKXQSA1.: 1,5 V, A/D-Wandler: 30 x 10 Bit, Datenumfang: 1Mbit/s, Abmessungen: 24 x 24 x 1.

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    • Vishay SUP40012EL-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 3-Pin TO-220AB

    Vishay SUP40012EL-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 3-Pin TO-220AB

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    Festo Serie VABM, Geschmiedete Aluminiumlegierung Ventilverteiler, Anschluss G3/4, Gewindegröße: 3/4Zoll, MPN: VABM-B10-30-G34-4-P53.

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    Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.3mm, Betriebstemperatur max.

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    Vishay SiSS05DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 108 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

    3mm, Betriebstemperatur max.2V, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C.: -20 V, +16 V, Länge: 3.

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