Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Gehäusegröße: PowerPAK 1212-SH, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V
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Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
Specifications of Vishay SiSH101DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH | |
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