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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
EMV-Filter und -Schutz
Ferrit Ringkern
Wurth Elektronik

Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 X 0.76 X 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle

About The 76 x 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle, Material: Ferrite, Nickel Zink, Innendurchmesser: 0.5 x 0

Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 x 0.76 x 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle, Material: Ferrite, Nickel Zink, Innendurchmesser: 0.76mm, Außendurchmesser: 2.5mm, MPN: 74270001

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Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 X 0.76 X 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle

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Specifications of Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 X 0.76 X 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle

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Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 X 0.76 X 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle
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Rating :- 9.07 /10
Votes :- 7
DiodesZetex DMP2040USD-13 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,6 W, 8-Pin SO-8
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • Texas Instruments LVDS-Sender Quad LVCMOS, LVTTL, 1848Mbit/s SMD 4 Elem./Chip, TSSOP 56-Pin

    Texas Instruments LVDS-Sender Quad LVCMOS, LVTTL, 1848Mbit/s SMD 4 Elem./Chip, TSSOP 56-Pin

    : 3 V, MPN: DS90CR285MTD/NOPB.1V, Abmessungen: 14 x 6.: 3,6 V, Betriebstemperatur max.1V, Differential Input Low Schwellenspannung: -0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Schnittstellen
  • LVDS-Schnittstellen-ICs
  • Texas Instruments
    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 2.4Ω ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 2.4Ω ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 2.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ2R4.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • ROHM
    • Siemens LWL-Transceiver, 100Mbit/s Rechteckig

    Siemens LWL-Transceiver, 100Mbit/s Rechteckig

    Siemens LWL-Transceiver, 100Mbit/s Rechteckig, MPN: 6GK5991-1AD00-8AC0.

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  • Displays und Optoelektronik
  • Faseroptische Komponenten
  • Faseroptik Transceiver
  • Siemens
    • DiodesZetex MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A, 2,5 A 5V 10-Pin W-DFN3030 25ns

    DiodesZetex MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A, 2,5 A 5V 10-Pin W-DFN3030 25ns

    DiodesZetex MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 1,5 A, 2,5 A 5V 10-Pin W-DFN3030 25ns, Arbeitsspannnung min.1mm, MPN: DGD05463FN-7.75mm, Eingangsruhestrom: 60µA, Länge: 3.5 (Sink) A, Abmessungen: 3.

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  • DiodesZetex
    • Siemens LWL-Transceiver, 1000Mbit/s Rechteckig

    Siemens LWL-Transceiver, 1000Mbit/s Rechteckig

    Siemens LWL-Transceiver, 1000Mbit/s Rechteckig, MPN: 6GK5992-1AP00-8AA0.

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  • Siemens
    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ334.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.

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    • ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPJ334.ROHM Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 0.

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    • Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 x 0.76 x 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle

    Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.5 x 0.76 x 4mm, Elektromagnetische Schnittstelle

    76mm, Außendurchmesser: 2.Wurth Elektronik Ferrit Ringkern, EMI Unterdrückung 2.

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