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Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF6201.

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    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF6201.

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    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse

    ROHM Dickschicht SMD-Widerstand ±1% / 0.25W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: ESR03EZPF6202.

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    • Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.4mm, SMA / MMCX, Aussen ø 2.49mm B Ausricht, abgewinkelt

    Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.4mm, SMA / MMCX, Aussen ø 2.49mm B Ausricht, abgewinkelt

    Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.4mm, SMA / MMCX, Aussen ø 2.: +155°C, Betriebstemperatur min.

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    • Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.4mm, SMA / SMB, Aussen ø 2.49mm B Ausricht, abgewinkelt

    Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.4mm, SMA / SMB, Aussen ø 2.49mm B Ausricht, abgewinkelt

    Wurth Elektronik RG316/U Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 152.: -55°C, MPN: 65503210515301.

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    • Abracon 11.0592MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 20pF, SMD, 2-Pin
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    • Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : –16 V, +16 V, Länge: 10.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin

    Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin

    Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin, Abmessungen: 13.5 x 5.0 x 4.

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    • Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.Infineon HEXFET IRLZ34NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    • Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin

    Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin

    5mm, MPN: FC4SDCBGM8.Abracon 8MHz Quarz, Oberflächenmontage, ±30ppm, 12pF, SMD, 2-Pin, Abmessungen: 13.

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