Vishay E Series SIHG20N50E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
About The 87mm, Betriebstemperatur max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Vishay E Series SIHG20N50E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E Series SIHG20N50E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Vishay E Series SIHG20N50E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC | |
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