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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 MA 8-Pin DSO-8 40ns

About The Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 8-Pin DSO-8 40ns, MPN: 2EDL05N06PFXUMA1

Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 8-Pin DSO-8 40ns, MPN: 2EDL05N06PFXUMA1

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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 MA 8-Pin DSO-8 40ns

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Specifications of Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 MA 8-Pin DSO-8 40ns

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Halbleiter
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NXP Mikrocontroller Kinetis E ARM Cortex M0+ 32bit SMD 64 KB QFP 64-Pin 40MHz
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    • Nexperia Power Switch IC Niederspannungsseite 1,4 → 4,3 V max.
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  • Nexperia
    • DiodesZetex Schieberegister 8-Bit Schieberegister HC Seriell - Parallel SMD 16-Pin TSSOP 1

    DiodesZetex Schieberegister 8-Bit Schieberegister HC Seriell - Parallel SMD 16-Pin TSSOP 1

    93mm, Direction Typ: Uni-Directional, Betriebstemperatur max.

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  • Zähler IC
  • DiodesZetex
    • onsemi SuperFET II FCH041N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247

    onsemi SuperFET II FCH041N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 76 A 595 W, 3-Pin TO-247

    : 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -30 V, +30 V, Höhe: 20.

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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • onsemi
    • TE Connectivity LR1 Metallschicht Widerstand 18kΩ ±1% / 0.6W

    TE Connectivity LR1 Metallschicht Widerstand 18kΩ ±1% / 0.6W

    TE Connectivity LR1 Metallschicht Widerstand 18kΩ ±1% / 0.6W, Betriebstemperatur max.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • TE Connectivity
    • onsemi SuperFET FCA47N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN

    onsemi SuperFET FCA47N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN

    : 73 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -30 V, +30 V, Höhe: 20.1mm, Länge: 16.onsemi SuperFET FCA47N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, LSTTL 500 mA 8-Pin DSO-8 40ns, MPN: 2EDL05N06PFXUMA1.

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    • onsemi SuperFET FCA20N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN

    onsemi SuperFET FCA20N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN

    2mm, Betriebstemperatur max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.

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    onsemi SuperFET FCA20N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN

    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi SuperFET FCA20N60F N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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