reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

About The : 5.IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 230 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 21.46mm, Länge: 16.26mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247
More Varieties

Rating :- 9.43 /10
Votes :- 9