Vishay IRFBE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.01mm, Länge: 10.41mm
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Vishay IRFBE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay IRFBE30PBF N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB | |
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