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STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220

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STMicroelectronics MDmesh STP10NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 70 W, 3-Pin TO-220
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