Infineon OptiMOS 5 IPD053N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon OptiMOS 5 IPD053N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPD053N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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