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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
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Infineon OptiMOS IPD50N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252

About The 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon.: 0,0078 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS IPD50N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0078 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon OptiMOS IPD50N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252

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Specifications of Infineon OptiMOS IPD50N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252

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Infineon OptiMOS IPD50N06S4L08ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252
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Toshiba Motor Driver IC TB67S112PG(O,HJ), DIP, 16-Pin, 1.5A, 47 V, BLDC, Halbbrücke
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    • Toshiba Motor Driver IC H Bridge TB67H452FTG(Z,EL), QFN, 48-Pin, 3.5A, 40 V, DC, PWM
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    • Toshiba Motor Driver IC TB67H451FNG(O,EL), HSOP, 8-Pin, 3.5A, 44 V, DC Bürstenmotor, PWM

    Toshiba Motor Driver IC TB67H451FNG(O,EL), HSOP, 8-Pin, 3.5A, 44 V, DC Bürstenmotor, PWM

    Toshiba Motor Driver IC TB67H451FNG(O,EL), HSOP, 8-Pin, 3.5A, 44 V, DC Bürstenmotor, PWM, Montage-Typ: SMD.

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    • Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

    Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8

    Infineon CoolGaN IGT60R190D1SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12,5 A, 8-Pin HSOF-8.

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    • Brady B-595 Vinyl Beschriftungsband Schwarz für BMP41, BMP51, BMP53 auf Gelb

    Brady B-595 Vinyl Beschriftungsband Schwarz für BMP41, BMP51, BMP53 auf Gelb

    Brady B-595 Vinyl Beschriftungsband Schwarz für BMP41, BMP51, BMP53 auf Gelb, Bandbreite: 25,4 mm, Bandlänge: 7,62 m, MPN: MC1-1000-595-YL-BK.

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    • Renesas Electronics 128kbit LowPower SRAM 8K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin

    Renesas Electronics 128kbit LowPower SRAM 8K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin

    : 25ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 14 x 14 x 1.

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    2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon.

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    • Renesas Electronics 128kbit LowPower SRAM 8K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin

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    Renesas Electronics 128kbit LowPower SRAM 8K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin, Organisation: 8 K x 16, Zugriffszeit max.4mm, Länge: 14mm, MPN: 70V25L25PFGI.: 25ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 14 x 14 x 1.

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