onsemi PowerTrench FDMS86163P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,9 A 104 W, 8-Pin PQFN8, Gehäusegröße: Leistung 56, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 1.05mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMS86163P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,9 A 104 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMS86163P P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,9 A 104 W, 8-Pin PQFN8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |