Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 2
Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 12,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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