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Vishay E SIHU6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max., 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max

Vishay E SIHU6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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Vishay E SIHU6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Vishay E SIHU6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)

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