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Infineon OptiMOS P BSC030P03NS3GAUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

About The Infineon OptiMOS P BSC030P03NS3GAUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS P BSC030P03NS3GAUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 4,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Infineon OptiMOS P BSC030P03NS3GAUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS P BSC030P03NS3GAUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

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