Vishay SQ Rugged SQS462EN-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 135 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Höhe: 1.12mm
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Vishay SQ Rugged SQS462EN-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay SQ Rugged SQS462EN-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 33 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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