Infineon OptiMOSTM3 BSZ068N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 63 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon OptiMOSTM3 BSZ068N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 63 A, 8-Pin TDSON-8 FL
Specifications of Infineon OptiMOSTM3 BSZ068N06NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 63 A, 8-Pin TDSON-8 FL | |
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