@ Vgs: 200 nC @ 10 V Infineon DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 9.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Gate-Ladung typ.
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Infineon DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH
Specifications of Infineon DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH | |
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