Vishay SIR416DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 4,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SIR416DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay SIR416DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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