Infineon OptiMOS 3 IPB011N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.57mm, Länge: 10.31mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPB011N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB011N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7 | |
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