Infineon HEXFET IRFHS9301TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon HEXFET IRFHS9301TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020
Specifications of Infineon HEXFET IRFHS9301TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020 | |
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