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DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC

About The DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.95mm

DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, Länge: 4.95mm

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Specifications of DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC

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    : 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SIR870ADP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.12mm, Länge: 6.

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    Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 3-polig / 1-reihig, Raster 4.

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    : -40°C, Betriebstemperatur max.Wurth Elektronik WCAP-ATG5, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 11mm, bis 105°C, Kapazität: 47µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 5 (Dia.: +105°C, Anschlussraster: 2mm, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 16,45 μA, Brummstrom: 110mA, MPN: 860020572006.) x 11mm, Betriebstemperatur min.

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    DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.95mm.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.

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    Wurth Elektronik WCAP-ATG5, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 11mm, bis 105°C, Kapazität: 47µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 5 (Dia.) x 11mm, Betriebstemperatur min.

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    95mm.DiodesZetex DMN6040SSD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,6 A 1,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.

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