Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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