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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

About The 7V.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 109 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.7V

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Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

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Specifications of Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

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Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN
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Panasonic AQ-H SMD Halbleiterrelais mit Nulldurchgang, 1-poliger Schließer 200 Veff / 1,2 A

Panasonic AQ-H SMD Halbleiterrelais mit Nulldurchgang, 1-poliger Schließer 200 Veff / 1,2 A

: 100 Veff, Schalttyp: Nullkreuzrelais-Schaltung, Ausgangsschaltung: Triac, MPN: AQH3213AX.

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    • Panasonic PhotoMOS AQV THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 350 V AC/DC / 120 mA

    Panasonic PhotoMOS AQV THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 350 V AC/DC / 120 mA

    Panasonic PhotoMOS AQV THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 350 V AC/DC / 120 mA, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Ausgangsschaltung: Foto-MOSFET, MPN: AQV210S.

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    • Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Toshiba TK65G10N1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 136 A 156 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 40 mm, 6-fach Nut 5mm, Länge 1000mm

    RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 40 mm, 6-fach Nut 5mm, Länge 1000mm

    RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 40 mm, 6-fach Nut 5mm, Länge 1000mm, Material: Aluminium, Farbe: Silber, Serie: Profile 5.

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    • Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 220Ω ±5% / 3W ±200ppm/°C

    TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 220Ω ±5% / 3W ±200ppm/°C

    TE Connectivity SM Wickel SMD-Widerstand 220Ω ±5% / 3W ±200ppm/°C, Technologie: Gewickelt, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +200°C, MPN: SMW3220RJT.

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    • Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

    Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

    7V.5V, Gate-Schwellenspannung min.Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 109 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,55 nH 1.6A, 1322 Gehäuse 2.21mm / ±5%, 8GHz

    Wurth Elektronik WE-CAIR Luftspule, 2,55 nH 1.6A, 1322 Gehäuse 2.21mm / ±5%, 8GHz

    : +125°C, Betriebstemperatur min.2mm, Höhe: 1.2 x 1.21mm / ±5%, 8GHz, Tiefe: 3.

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    • Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

    Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN

    : ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.

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